uClinux平臺下的Flash存儲技術(shù)

摘要：較為詳細(xì)地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux平臺下的Flash存儲技術(shù)，并給出基于三星S3C4510系統(tǒng)下Dlash存儲器具體設(shè)計實例。

    關(guān)鍵詞：Flash存儲技術(shù) uClinux平臺 S3C4510

1 Flash類型與技術(shù)特點

Flash主要分為NOR和NAND兩類。下面對二者作較為詳細(xì)的比較。

1.1 性能比較

Flash閃存是非易失存儲器，可以對存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何Flash器件進(jìn)行寫入操作前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作十分簡單；而NOR則要求在進(jìn)行擦除前，先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為1～5s；擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時，塊尺寸的不同近一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距。統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時），更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。因此，當(dāng)選擇存儲解決方案時，設(shè)計師必須權(quán)衡以下的各項因素。

*NOR的讀取速度比NAND稍快一些。

*NAND的寫入速度比NOR快很多。

*NAND的擦除速度遠(yuǎn)比NOR快。

*大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。

*NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。

1.2 接口差別

NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)容的每一字節(jié)。

NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND的讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作。很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其它塊設(shè)備。

1.3 容量和成本

NAND Flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半。由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價格。

NOR Flash占據(jù)了大部分容量為1～16MB的內(nèi)存市場，而NAND Flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中。

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