硅微機(jī)械陀螺儀結(jié)構(gòu)中的電容分析

為減小雜散電容提高信噪比,分析了硅微機(jī)械陀螺儀結(jié)構(gòu)中的電容.并以某硅微機(jī)械陀螺儀的理論模型為對象,建立了陀螺儀結(jié)構(gòu)中的電容模型.對每種電容進(jìn)行了理論分析,并借助電路仿真軟件對模型進(jìn)行了仿真,分析了雜散電容對輸出的影響,結(jié)果表明布線與活動結(jié)構(gòu)間的電容對輸出有很大的影響.提出了采用新工藝和合理的布線方法減小與活動結(jié)構(gòu)間的電容,從而提高信噪比.

作 者： 施芹 王壽榮 楊波 SHI Qin WANG Shou-rong YANG Bo   作者單位： 東南大學(xué),儀器科學(xué)與工程系,江蘇,南京,210096  刊 名： 測控技術(shù)  ISTIC PKU 英文刊名： MEASUREMENT & CONTROL TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2005 24(11)  分類號： V241.5+54 O472  關(guān)鍵詞： 硅微機(jī)械陀螺儀   信噪比   雜散電容   電容模型  

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