電子輻照下聚酰亞胺薄膜的深層充電現(xiàn)象研究

空間輻射環(huán)境下聚合物絕緣材料的深層充放電效應(yīng)是威脅航天器安全的重要因素之一.文章利用能量為5～100keV的單能電子槍,研究了不同束流強(qiáng)度電子輻照下聚酰亞胺薄膜樣品的深層充電過程.實(shí)驗(yàn)表明,在102 pA量級的電子束輻照下,聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位迅速上升后緩慢變化,最終可以達(dá)到幾kV.在一定條件下,樣品表面電位隨著輻照電子束流密度和樣品厚度的增加而增大;充電達(dá)到平衡所需的時(shí)間隨著輻照電子束流密度和樣品厚度的增加而減少.輻照截止后聚酰亞胺薄膜樣品內(nèi)部電荷的泄放需經(jīng)歷較長時(shí)間,由衰減時(shí)間常數(shù)推測出的樣品電阻率要比采用傳統(tǒng)測量方法得到的結(jié)果高一個(gè)量級.

作 者： 張振龍 全榮輝 閆小娟 韓建偉 Zhang Zhenlong Quan Ronghui Yan Xiaojuan Han Jianwei   作者單位： 張振龍,韓建偉,Zhang Zhenlong,Han Jianwei(中國科學(xué)院,空間科學(xué)與應(yīng)用研究中心,北京,100080)

全榮輝,閆小娟,Quan Ronghui,Yan Xiaojuan(中國科學(xué)院,空間科學(xué)與應(yīng)用研究中心,北京,100080;中國科學(xué)院,研究生院,北京,100039) 

刊 名： 航天器環(huán)境工程  ISTIC 英文刊名： SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING  年，卷(期)： 2008 25(1)  分類號： V416.5  關(guān)鍵詞： 航天器   深層充電   介質(zhì)材料   聚酰亞胺  

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