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直接熱氧化制備氧化鈦薄膜電極的研究Ⅰ. 制備、結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性質(zhì)
采用原子力顯微鏡、 X光衍射儀、電化學(xué)阻抗譜等手段對(duì)熱氧化制備氧化鈦膜的結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究.結(jié)果表明,金屬鈦直接熱氧化制備的薄膜為金紅石型二氧化鈦薄膜;隨氧化溫度升高和時(shí)間延長(zhǎng),薄膜結(jié)晶度逐漸增大;隨氧化溫度升高,二氧化鈦平帶電位向負(fù)方向移動(dòng);當(dāng)溫度大于600℃后,二氧化鈦結(jié)晶致密,電子導(dǎo)電性減小.
作 者: 冷文華 張昭 成少安 張鑒清 曹楚南 作者單位: 浙江大學(xué)玉泉校區(qū)化學(xué)系,杭州,310027 刊 名: 化學(xué)物理學(xué)報(bào) ISTIC SCI PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 年,卷(期): 2001 14(6) 分類號(hào): O641 關(guān)鍵詞: 氧化鈦 熱氧化 電化學(xué)阻抗【直接熱氧化制備氧化鈦薄膜電極的研究Ⅰ. 制備、結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性質(zhì)】相關(guān)文章:
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