銦錫氧化程度對ITO薄膜光電特性的影響

采用直流磁控濺射法在普通載玻片上制備了氧化銦錫透明導(dǎo)電薄膜(ITO).制備出的薄膜在大氣環(huán)境下退火,退火溫度分別為100℃、200℃和300℃,保溫時(shí)間為1 h.對薄膜中銦錫原子的氧化程度及其光電特性進(jìn)行了測試與分析.結(jié)果表明:退火溫度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,從而提高了薄膜在可見光范圍內(nèi)的透射率;退火溫度為200℃時(shí),In原子氧化程度較高,薄膜中氧空位數(shù)量最多,電阻率最低為6.2×10-3Ω·cm.

作 者： 江錫順 曹春斌 宋學(xué)萍 孫兆奇 JIANG Xi-shun CAO Chun-bin SONG Xue-ping SUN Zhao-qi   作者單位： 江錫順,JIANG Xi-shun(滁州學(xué)院,電子信息工程系,安徽,滁州,239012)

曹春斌,CAO Chun-bin(安徽農(nóng)業(yè)大學(xué),理學(xué)院,安徽,合肥,230036)

宋學(xué)萍,孫兆奇,SONG Xue-ping,SUN Zhao-qi(安徽大學(xué),物理與材料科學(xué)學(xué)院,安徽,合肥,230039) 

刊 名： 液晶與顯示  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS  年，卷(期)： 2007 22(4)  分類號： O484.4  關(guān)鍵詞： ITO薄膜   磁控濺射   氧化程度   光電特性  

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