稀磁半導體的研究進展

本文主要介紹了III-V族稀磁半導體(Ga,Mn)As的研究進展,包括(Ga,Mn)As的生長制備、基本磁性質(zhì)、磁輸運特征、磁光性質(zhì)、磁性起源、相關(guān)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和自旋注入等,同時還簡單介紹了其它稀磁半導體如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半導體的研究進展,在文章的最后描述了理想的稀磁半導體應該具備的特征以及對未來的展望.

作 者： 趙建華 鄧加軍 鄭厚植 ZHAO Jian-hua DENG Jia-jun ZHENG Hou-zhi   作者單位： 中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室,北京100083  刊 名： 物理學進展  ISTIC PKU 英文刊名： PROGRESS IN PHYSICS  年，卷(期)： 2007 27(2)  分類號： O472+.3 O472+.4 O472+5 O484.1  關(guān)鍵詞： 半導體自旋電子學   稀磁半導體   異質(zhì)結(jié)構(gòu)   自旋注入  

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