3d過渡金屬摻雜TiO2納米晶膜電極的光電化學研究

應用原子力顯微鏡和x射線粉末法對3d過渡金屬離子Cr(Ⅲ)，F(xiàn)e(Ⅲ)，Mn(Ⅱ)，Co(Ⅱ)，Ni(Ⅱ)，Cu(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)摻雜TiO2納米晶粒(簡寫為M3d-TiO2)作了表征，并用光電化學方法研究了M3d-TiO2納米結構多孔膜電極.實驗結果表明，M3d-TiO2納米粒子的顆粒較均勻，粒徑約為15 nm，其晶型為銳鈦礦和板鈦礦的混晶.在所研究的M3d-TiO2中，只有Zn2+-TiO2電極的光電流大于未摻雜的TiO2納米結構多孔膜電極.3d金屬離子的摻雜引起各電極的光電流信號在一定波長范圍內出現(xiàn)p-n轉型現(xiàn)象.

作 者： 李衛(wèi)華 喬學斌 高恩勤 楊邁之 郝彥忠 蔡生民 LI Wei-Hua QIAO Xue-bin GAO En-Qin YANG Mai-zhi HAO Yan-Zhong CAI Sheng-min   作者單位： 李衛(wèi)華,LI Wei-Hua(安徽省宿州師范專科學校，宿州 234000)

喬學斌,高恩勤,楊邁之,郝彥忠,蔡生民,QIAO Xue-bin,GAO En-Qin,YANG Mai-zhi,HAO Yan-Zhong,CAI Sheng-min(北京大學化學與分子工程學院，北京 100871) 

刊 名： 高等學�；瘜W學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2000 21(10)  分類號： O649.4  關鍵詞： 3d過渡金屬摻雜   TiO2納米結構多孔膜電極   n-p轉型   光電化學   Doping of 3d transition metal   TiO2 nanostructured porous film electrode   n-p Type inversion   Photoelectrochemistry  

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