多晶硅納米薄膜電學特性的實驗研究

用低壓化學氣相淀積(LPCVD)法淀積了膜厚為60～250nm的多晶硅納米薄膜,研究了膜厚和摻雜濃度對多晶硅納米薄膜電學特性的影響.結合掃描電鏡(SEM)圖片,在電阻率與電阻率溫度系數(shù)測試結果的基礎上,分析了膜厚和摻雜濃度對薄膜電學特性的影響.結果表明:重摻雜多晶硅納米薄膜具有良好的溫度特性,電阻率溫度系數(shù)可達到1×10-4～3×10-4/℃的水平.

作 者： 劉曉為 李金鋒 揣榮巖 施長治 陸學斌 吳婭靜 LIU Xiao-wei LI Jin-feng CHUAI Rong-yan SHI Chang-zhi LU Xue-bin WU Ya-jing   作者單位： 劉曉為,李金鋒,施長治,陸學斌,吳婭靜,LIU Xiao-wei,LI Jin-feng,SHI Chang-zhi,LU Xue-bin,WU Ya-jing(哈爾濱工業(yè)大學,MEMS中心,黑龍江,哈爾濱,150001)

揣榮巖,CHUAI Rong-yan(哈爾濱工業(yè)大學,MEMS中心,黑龍江,哈爾濱,150001;沈陽工業(yè)大學,信息科學與工程學院,遼寧,沈陽,110023) 

刊 名： 傳感器與微系統(tǒng)  PKU 英文刊名： TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGIES  年，卷(期)： 2008 27(8)  分類號： O738  關鍵詞： 多晶硅納米薄膜   電學特性   摻雜濃度   膜厚  

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