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離子注入誘導量子阱界面混合效應的光致熒光譜研究
采用多元芯片方法獲得了一系列不同離子注入劑量的GaAs/AlGaAs非對稱耦合量子阱單元,通過光致熒光譜測量,研究了單純的離子注入導致的界面混合效應.熒光光譜行為與有效質量理論計算研究表明,Al原子在異質結界面的擴散在離子注入過程中已基本完成,而熱退火作用主要是去除無輻射復合中心.
陸衛(wèi),李志鋒,蔡煒穎,沈學礎(中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室,上海,200083)
陳昌明,朱德彰,胡鈞,李明乾(中國科學院上海原子核研究所核分析技術開放實驗室,上海,201800)
刊 名： 物理學報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(3) 分類號： O4 關鍵詞： 量子阱 離子注入 光致熒光譜 界面混合【離子注入誘導量子阱界面混合效應的光致熒光譜研究】相關文章：
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