低壓MOCVD生長(zhǎng)TiO2薄膜結(jié)構(gòu)和電性能研究

采用低壓MOCVD法沉積生長(zhǎng)了TiO2薄膜,研究了Si襯底取向、退火溫度、退火時(shí)間、退火氣氛對(duì)其結(jié)構(gòu)和電性能的影響.結(jié)果表明,500℃下沉積生長(zhǎng)于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜為銳鈦礦相多晶膜,經(jīng)過600℃以上退火處理后,均可轉(zhuǎn)變?yōu)榧兘鸺t石相結(jié)構(gòu).其中,Si(111)上的TiO2薄膜更容易轉(zhuǎn)變?yōu)榻鸺t石相結(jié)構(gòu),而Si(100)上的TiO2薄膜,需要更高的退火溫度和更長(zhǎng)的退火時(shí)間才能轉(zhuǎn)變?yōu)榻鸺t石結(jié)構(gòu).結(jié)果還表明,退火氣氛中的氧分壓的大小對(duì)TiO2薄膜的結(jié)構(gòu)無明顯的影響.

作 者： 許效紅 王民 侯云 王棟 王弘 王卓   作者單位： 許效紅(山東大學(xué),晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山東,濟(jì)南,250100；山東大學(xué),化學(xué)與化工學(xué)院,山東,濟(jì)南,250100)

王民,侯云,王棟,王弘,王卓(山東大學(xué),晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山東,濟(jì)南,250100) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(3)  分類號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積   MOCVD   TiO2薄膜   金紅石  

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