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ZnO:V薄膜后退火處理前后的微結(jié)構(gòu)與發(fā)光特性
利用溶膠-凝膠(Sol-gel)法在單晶硅(100)襯底上分別制備了ZnO:V薄膜和純ZnO薄膜.為進(jìn)一步研究后退火對(duì)ZnO:V薄膜結(jié)構(gòu)和發(fā)光性質(zhì)的影響,在兩段式快速退火后又在800 ℃下進(jìn)行了后退火處理.X 射線衍射的結(jié)果表明:后退火處理前,釩(V)的摻入使ZnO結(jié)晶質(zhì)量變差,而800 ℃退火處理后,從ZnO的衍射峰中可以看出,相對(duì)于無(wú)V雜樣品其結(jié)晶質(zhì)量變好.掃描電子顯微鏡形貌圖中可以看出制備的樣品薄膜顆粒大小均勻,薄膜致密度較高.光致發(fā)光(PL)譜的研究表明:ZnO:V薄膜在800 ℃退火處理后,紫外和綠帶發(fā)光峰均增強(qiáng),但紫外發(fā)光峰增強(qiáng)得更多;與同樣條件下制備的純ZnO薄膜的PL譜比較,發(fā)現(xiàn)V摻雜后樣品的紫外激子復(fù)合發(fā)光峰的強(qiáng)度明顯增強(qiáng)且峰位發(fā)生藍(lán)移,而缺陷引起的綠帶發(fā)光峰的強(qiáng)度降低.
作 者： 張麗亭 魏凌 張楊 張偉風(fēng) ZHANG Li-ting WEI Ling ZHANG Yang ZHANG Wei-feng 作者單位： 河南大學(xué),物理與電子學(xué)院,河南,開(kāi)封,475004 刊 名： 發(fā)光學(xué)報(bào) ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 2007 28(4) 分類號(hào)： O472.3 O482.31 關(guān)鍵詞： ZnO 釩摻雜 光致發(fā)光 溶膠-凝膠法 薄膜【ZnO:V薄膜后退火處理前后的微結(jié)構(gòu)與發(fā)光特性】相關(guān)文章：
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