基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光譜測(cè)量

使用紫外-可見光分光光度計(jì),研究用金屬有機(jī)物氣相外延(MOVPE)方法生成在藍(lán)寶石襯底上的GaN薄膜的反射光譜、透射光譜以及用分子束外延(MBE)方法生成在碳化硅襯底上GaN薄膜的反射光譜,結(jié)果表明,所測(cè)的GaN薄膜和體材料的光學(xué)吸收邊出現(xiàn)在364 nm附近, 對(duì)應(yīng)的禁帶寬度為3.41 eV.在兩種不同襯底上,薄膜的反射譜由于材料晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的不同有所差別.

作 者： 齊學(xué)義 李晨晨 楊國(guó)來 蔡麗霞 QI Xue-yi LI Chen-chen YANG Guo-lai CAI Li-xia   作者單位： 齊學(xué)義,李晨晨,楊國(guó)來,QI Xue-yi,LI Chen-chen,YANG Guo-lai(蘭州理工大學(xué),流體動(dòng)力與控制學(xué)院,甘肅,蘭州,730050)

蔡麗霞,CAI Li-xia(蘭州理工大學(xué),機(jī)電工程學(xué)院,甘肅,蘭州,730050) 

刊 名： 蘭州理工大學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF LANZHOU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 33(5)  分類號(hào)： O433.1 O484.5  關(guān)鍵詞： 氮化鎵薄膜   反射光譜   透射光譜  

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