VO2晶體電子結(jié)構(gòu)及其摻雜的第一性原理研究

運用密度泛函平面波贗勢(PWP)和廣義梯度近似(GGA)方法,對二氧化釩(VO2)兩種不同晶體電子結(jié)構(gòu)進行了計算.研究了低溫單斜晶型和高溫四方晶型結(jié)構(gòu)的VO2電子態(tài)密度(DOS)和能帶(energy band)結(jié)構(gòu),通過分析發(fā)現(xiàn),四方晶的金屬性比較明顯,這是由于電子態(tài)密度和能帶結(jié)構(gòu)分析結(jié)果表明不同特性產(chǎn)生的原因是V原子的3d電子貢獻不同導致的.本文中我們還將部分O原子替換為F原子后對單斜晶替位摻雜進行了的計算討論,本文的計算結(jié)果都較好地符合實驗結(jié)果,表明密度泛函平面波贗勢和廣義梯度近似方法可以用來描述VO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì).我們認為,這種方法應用于描述氧化物的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)是一種新的探索.

作 者： 胡永金 趙江 崔磊 滕玉永 曾祥華 HU Yong-jin ZHAO Jiang CUI Lei TENG Yu-yong ZENG Xiang-hua   作者單位： 揚州大學物理科學與技術(shù)學院,揚州,225002  刊 名： 原子與分子物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(5)  分類號： O481.1  關(guān)鍵詞： 態(tài)密度   能帶結(jié)構(gòu)   單斜晶   四方晶  

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