過渡層對Ge襯底GaAs外延層晶體質(zhì)量的影響

利用低壓金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積(MOCVD)設(shè)備在Ge襯底上生長GaAs外延層.通過改變GaAs過渡層的生長溫度對GaAs外延層進(jìn)行了表征,利用掃描電鏡(SEM)和X射線衍射儀研究了表面形貌和晶體質(zhì)量,優(yōu)化出滿足高效太陽能電池要求的高質(zhì)量GaAs單晶層生長條件.

作 者： 李曉婷 賽小鋒 汪韜 曹希斌 石剛 LI Xiaoting SAI Xiaofeng WANG Tao CAO Xibing SHI Gang   作者單位： 李曉婷,LI Xiaoting(長安大學(xué)理學(xué)院,西安710061;中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所,西安710068)

賽小鋒,汪韜,曹希斌,SAI Xiaofeng,WANG Tao,CAO Xibing(中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所,西安710068)

石剛,SHI Gang(長安大學(xué)理學(xué)院,西安710061) 

刊 名： 激光與光電子學(xué)進(jìn)展  ISTIC PKU 英文刊名： LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS  年，卷(期)： 2007 44(6)  分類號： O484.1  關(guān)鍵詞： GaAs/Ge   過渡層   生長溫度   晶體質(zhì)量  

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