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硅基高質(zhì)量氧化鋅外延薄膜的界面控制
本文利用反射式高能電子衍射(RHEED)、高分辨透射電鏡和選區(qū)電子衍射方法,系統(tǒng)研究了Si(111)襯底上制備高質(zhì)量氧化鋅單晶薄膜的界面控制工藝.發(fā)現(xiàn)低溫下Mg(0001)/Si(111)界面互擴(kuò)散得到有效抑制,形成了高質(zhì)量的單晶鎂膜,進(jìn)一步通過低溫氧化法和分子束外延法實(shí)現(xiàn)了單晶MgO緩沖層的制備,從而為ZnO的外延生長(zhǎng)提供了模板.在這一低溫界面控制工藝中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不僅為ZnO的成核與生長(zhǎng)提供了優(yōu)良的緩沖層,且極大地弛豫了由于襯底與ZnO之間的晶格失配所引起的應(yīng)變.上述低溫工藝也可用來(lái)控制其它活性金屬膜與硅的界面,從而在硅襯底上獲得高質(zhì)量的氧化物模板.
作 者： 王喜娜 梅增霞 王勇 杜小龍 張曉娜 賈金鋒 薛其坤 張澤 WANG Xi-na MEI Zeng-xia WANG Yong DU Xiao-long ZHANG Xiao-na JIA Jin-feng XUE Qi-kun ZHANG Ze 作者單位： 王喜娜,梅增霞,王勇,杜小龍,WANG Xi-na,MEI Zeng-xia,WANG Yong,DU Xiao-long(北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室,中國(guó)科學(xué)院物理研究所,北京,100080)張曉娜,張澤,ZHANG Xiao-na,ZHANG Ze(北京工業(yè)大學(xué)固體微結(jié)構(gòu)與性能研究所,北京,100022)
賈金鋒,JIA Jin-feng(清華大學(xué)物理系,北京,100084)
薛其坤,XUE Qi-kun(北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室,中國(guó)科學(xué)院物理研究所,北京,100080;清華大學(xué)物理系,北京,100084)
刊 名： 電子顯微學(xué)報(bào) ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY 年，卷(期)： 2007 26(6) 分類號(hào)： O484.1 TN304.2 TN304.054 TG115.21 關(guān)鍵詞： ZnO/Si界面 低溫界面控制 MgO緩沖層 透射電鏡 反射式高能電子衍射【硅基高質(zhì)量氧化鋅外延薄膜的界面控制】相關(guān)文章：
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