氫原子與H-Si(100)表面作用提取的氫分子角分布研究

利用可旋轉(zhuǎn)四極質(zhì)譜儀對氫原子束與氫化Si(100)表面作用中氫提取反應產(chǎn)生的氫分子角分布進行了系統(tǒng)的分析.發(fā)現(xiàn)氫原子束與氫化Si(100)表面作用中,從氫化Si(100)表面脫附的氫分子具有較寬的角分布,并可以用函數(shù)cosnθf(其中n＜1)擬合氫分子角分布.脫附的氫分子角分布與Si(100)表面溫度和表面重構模型無關.根據(jù)硅表面重構機制,用非活性脫氫模型對實驗結果進行了合理的解釋.

作 者： 陽生紅 CH(A)TELET Marc YANG Sheng-hong CH(A)TELET Marc   作者單位： 陽生紅,YANG Sheng-hong(中山大學光電材料與技術國家重點實驗室//物理科學與工程技術學院,廣東,廣州,510275)

CH(A)TELET Marc,CH(A)TELET Marc(Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces,CNRS,Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex,France) 

刊 名： 中山大學學報（自然科學版）  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS SUNYATSENI  年，卷(期)： 2007 46(6)  分類號： O552.3  關鍵詞： 四極質(zhì)譜儀   氫化Si(100)表面   脫附   氫分子角分布  

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