寡聚脫氧核苷酸吸附狀態(tài)隨電位的變化

利用原位電化學及表面增強拉曼散射(SERS)光譜方法對寡聚脫氧核苷酸(26mersODN和13mersODN)在銀電極表面上的吸附狀態(tài)進行了研究.實驗表明,單鏈寡聚脫氧核苷酸在銀電極上有很好的SERS光譜,單鏈寡聚脫氧核苷酸在銀表面上主要以堿基腺嘌呤(A)為吸附點,吸附狀態(tài)隨電位變化而變化,鏈長較短的寡聚脫氧核苷酸在銀電極表面的吸附態(tài)對電位變化較敏感.

作 者： 沈鶴柏 周文駿 楊海峰 余沛濤   作者單位： 上海師范大學生命與環(huán)境科學學院化學系,上海,200234  刊 名： 物理化學學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2002 18(6)  分類號： O646  關鍵詞： 寡聚脫氧核苷酸(ODN)   表面增強拉曼光譜   腺嘌呤   吸附   銀電極  

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