非晶硅薄膜的低溫快速晶化及其結(jié)構(gòu)分析?

在鍍鋁的廉價玻璃襯底上高速沉積的非晶硅薄膜在不同的溫度下退火10min.退火溫度為500℃時,薄膜表面形成了硅鋁的混合相, 非晶硅薄膜開始呈現(xiàn)了晶化現(xiàn)象;退火溫度為550℃時,大部分(約80%)的非晶硅晶化為多晶硅,平均晶粒尺寸為500nm;退火溫度為600℃時,幾乎所有的非晶硅都轉(zhuǎn)化為多晶硅,其平均晶粒尺寸約為1.5μm.

作 者： 林揆訓 林璇英 梁厚蘊 池凌飛 余楚迎 黃創(chuàng)君   作者單位： 汕頭大學物理系,汕頭,515063  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(4)  分類號： O4  關鍵詞： 固相晶化   多晶硅薄膜   非晶硅薄膜  

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