ZnO薄膜制備及其發(fā)光特性研究

用射頻磁控反應濺射法分別在未加熱和加熱的石英玻璃襯底上制備ZnO薄膜,在不同溫度下進行退火處理,研究襯底溫度、退火條件對其結構和發(fā)光性能的影響.通過對樣品的X射線衍射(XRD)、吸收光譜和光致發(fā)光(PL)光譜的測量結果表明,襯底溫度為230 ℃、退火溫度為400 ℃時樣品結晶性能最佳,并具有最強的紫外光發(fā)射(380 nm).

作 者： 王晶 張希清 梅增霞 黃世華 徐征   作者單位： 北方交通大學光電子技術研究所,信息存儲、顯示與材料開放實驗室,北京,100044  刊 名： 光電子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2002 13(11)  分類號： O484  關鍵詞： ZnO薄膜   磁控濺射   光致發(fā)光(PL)  

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