LGS晶體的化學腐蝕及缺陷分布

采用提拉法生長得到LGS單晶,采用磷酸作腐蝕劑,對LGS晶體做了一系列腐蝕實驗.實驗結果表明:對于不同方向晶面,腐蝕液的配比和腐蝕時間等條件各不相同.根據(jù)腐蝕坑可以判定.其極軸是二次軸[1120]方向,并可具體確定極軸方向.關于腐蝕坑的分布可以判定,在現(xiàn)行條件下生長的晶體具有較高的質(zhì)量.

作 者： 黃慶捷 孔海寬 李軍 高磊 葛文偉 張懷金 胡小波 江懷東 王繼揚   作者單位： 黃慶捷,孔海寬,高磊,葛文偉,張懷金,胡小波,江懷東,王繼揚(山東大學,晶體材料國家重點實驗室,山東,濟南,250100)

李軍(山東中晶光電子公司,山東,濟南,250100) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2003 34(2)  分類號： O738 O77 O78  關鍵詞： La3Ga5SiO14   化學腐蝕   缺陷   提拉法  

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