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沉積在硅油表面上Au薄膜的電學(xué)性能及成膜機理
采用硅油作基底,沉積出具有網(wǎng)狀特征結(jié)構(gòu)的逾滲Au薄膜,用四引線方法原位測量Au薄膜的電學(xué)性能,測得其電阻隨沉積時間以及凝聚時間的變化規(guī)律,較好地解釋了此類薄膜的生長機制.對Au薄膜R-I特性的測量結(jié)果表明:生長在液體基底表面Au薄膜的局域隧道電流和跳躍電導(dǎo)效應(yīng)比一般薄膜更為強烈,其功率譜指數(shù)w趨于零,該值遠小于普通逾滲薄膜系統(tǒng)的相應(yīng)值.
作 者: 夏阿根 楊波 金進生 葉全林 陶向明 葉高翔 作者單位: 浙江大學(xué)物理系,杭州,310028 刊 名: 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報 ISTIC EI PKU 英文刊名: VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年,卷(期): 2003 23(4) 分類號: O484.1 關(guān)鍵詞: Au薄膜 網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 電特性【沉積在硅油表面上Au薄膜的電學(xué)性能及成膜機理】相關(guān)文章:
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