高介電HfOxNy薄膜的制備及其光學(xué)性能研究

采用直流反應(yīng)磁控濺射方法,在硅襯底制備了高介電HfOxNy薄膜.用橢偏儀研究了后期退火處理對薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響,結(jié)果表明,薄膜的折射率隨退火溫度的升高而增加,這主要是由于高溫退火導(dǎo)致薄膜內(nèi)部缺陷減少,使得薄膜松散的內(nèi)部結(jié)構(gòu)變得更加致密;薄膜的消光系數(shù)隨退火溫度的升高而降低, 這是由于因?yàn)橥嘶鸷蟊∧��?nèi)的缺陷減少.光學(xué)禁帶寬度隨退火溫度的升高而增加,這是由于退火過程中薄膜中N 含量的減少而導(dǎo)致.

作 者： 王瑩 張麗明 楊更須 WANG Ying ZHANG Li-ming YANG Geng-xu   作者單位： 王瑩,張麗明,WANG Ying,ZHANG Li-ming(商丘職業(yè)技術(shù)學(xué)院,河南,商丘,476000)

楊更須,YANG Geng-xu(河南大學(xué),化學(xué)化工學(xué)院,河南,開封,475001) 

刊 名： 應(yīng)用化工  ISTIC 英文刊名： APPLIED CHEMICAL INDUSTRY  年，卷(期)： 2009 38(2)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： HfOxNy薄膜   直流反應(yīng)磁控濺射   橢偏儀   光學(xué)特性  

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