鐵磁性納米線陣列的偏差對磁性的影響

用蒙特卡洛方法對納米線陣列磁滯回線進(jìn)行模擬,研究了納米線排列、長度和直徑的偏差對納米線陣列整體磁學(xué)性質(zhì)的影響.研究結(jié)果表明,納米線位置的標(biāo)準(zhǔn)偏差引起了矯頑力和磁化率降低;長度的標(biāo)準(zhǔn)偏差則僅僅引起飽和磁化強度的增大和剩余磁化強度的減小,而對矯頑力沒有影響;直徑的的標(biāo)準(zhǔn)偏差對納米線陣列產(chǎn)生了比較復(fù)雜的影響.

作 者： 郭艷蕊 嚴(yán)慧羽 宋慶功 陳逸飛 GUO Yan-rui YAN Hui-yu SONG Qing-gong CHEN Yi-fei   作者單位： 中國民航大學(xué)理學(xué)院,天津,300300  刊 名： 中國民航大學(xué)學(xué)報  ISTIC 英文刊名： JOURNAL OF CIVIL AVIATION UNIVERSITY OF CHINA  年，卷(期)： 2009 27(6)  分類號： O488  關(guān)鍵詞： 納米線陣列   蒙特卡洛方法   磁滯回線  

【鐵磁性納米線陣列的偏差對磁性的影響】相關(guān)文章：

ZnO納米線陣列的定向生長、光致發(fā)光及場發(fā)射性能04-26

磁盤陣列·什么是磁盤陣列04-26

HTPB藥柱老化對SRM內(nèi)彈道性能的影響及偏差分析04-26

羰基鐵粉對橡膠吸波貼片力學(xué)與電磁性能的影響04-26

磁盤陣列·什么是MTBF04-26

磁盤陣列·什么是RAID04-26

磁鐵有磁性反思03-02

《磁鐵有磁性》教案04-24

米線的作文08-15

過橋米線11-26