電子儲存環(huán)中插入元件的非線性束流動力學的Lie代數(shù)方法

介紹了用能保證哈密頓系統(tǒng)"辛"性質的Lie映射方法來研究電子儲存環(huán)中的插入元件對束流動力學的影響.并以此方法對合肥光源中將要安裝的波蕩器UD-1對儲存環(huán)的影響作了初步的研究.

作 者： 李永軍 王琳 馮光耀 徐宏亮 李為民 劉祖平   作者單位： 中國科學技術大學國家同步輻射實驗室,合肥,230029  刊 名： 高能物理與核物理  ISTIC SCI PKU 英文刊名： HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS  年，卷(期)： 2003 27(9)  分類號： O4  關鍵詞： 電子儲存環(huán)   插入元件   哈密頓系統(tǒng)   Lie代數(shù)和Lie映射  

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