用偏振差分透射譜技術測量半導體晶體片應力分布

利用偏振差分透射譜測量了2英寸圓形GaAs晶片、自支撐GaN襯底和藍寶石襯底等的雙折射分布,通過彈光效應換算得到了晶片內部殘余應力分布.測量得到的應力反映的是晶片各個點的[110]和[110]方向的應變差.實驗測量得到的GaAs晶片和自支撐GaN 襯底的[110] 和[110]的應變差最大可以達到10-5數量級.藍寶石襯底的可以達到10-6數量級.因此TDS可以對透明或者半透明晶片的應力分布實現快速、實時、無損、高靈敏度檢測.

作 者： 周振宇 陳涌海 ZHOU Zhen-yu CHEN Yong-hai   作者單位： 中國科學院半導體研究所,北京,100083  刊 名： 硅酸鹽通報  ISTIC PKU 英文刊名： BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年，卷(期)： 2008 27(3)  分類號： O471.1  關鍵詞： 偏振差分透射譜   各向異性   內應力  

【用偏振差分透射譜技術測量半導體晶體片應力分布】相關文章：

Semiconductor: 半導體05-04

Semiconductor：半導體05-04

工程測量技術總結02-21

公差配合測量技術論文09-23

別李譜,別李譜趙嘏,別李譜的意思,別李譜賞析 -詩詞大全03-13

測量個人技術工作總結12-30

工程測量技術心得體會09-05

生本教學模式下,關于海陸分布一課的反思04-28

《降水和降水的分布》教案02-25

《細菌和真菌的分布》教案03-09