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巨磁電阻錳氧化物材料的低溫電阻率行為的研究

時間:2023-04-26 21:09:04 數(shù)理化學論文 我要投稿
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巨磁電阻錳氧化物材料的低溫電阻率行為的研究

對巨磁電阻錳氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(釔穩(wěn)定氧化鋯)(LCMO/YSZ)系列樣品低溫下電阻率行為進行研究,低溫下電阻率行為一般是ρ=ρ0+ATa+BTb的形式,其中ρ0為剩余電阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表電子-電子散射項,T3/2代表被無序自旋玻璃散射的電子項,T6代表電子.聲子散射項,Tθ/2們代表電子-雙磁子散射項.在此指出b=5是合理的,代表電子-聲子散射項.

巨磁電阻錳氧化物材料的低溫電阻率行為的研究

作 者: 王新峰 WANG Xin-feng   作者單位: 山東理工大學物理與光電信息技術學院,山東,淄博,255049  刊 名: 低溫物理學報  ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年,卷(期): 2008 30(3)  分類號: O51  關鍵詞: 巨磁電阻   低溫電阻率   電子-聲子散射  

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