單根In摻雜的n-ZnO納米線/p+-Si異質(zhì)結(jié)的紫外電致發(fā)光

采用化學(xué)氣相沉積的方法在In0.1Ga0.9N襯底上生長出In摻雜的n-ZnO納米線陣列.電學(xué)輸運測量得到單根n-ZnO納米線的電阻率為0.001 Ω cm,比同樣方法在GaN襯底上生長的ZnO納米線低約20倍.這個結(jié)果表明來自于In0.1Ga0.9N襯底中的In原子在高溫生長過程中可能被摻入ZnO納米線.制備成功單根n-ZnO納米線/p+-Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)并研究了其電致發(fā)光特性.室溫下電致發(fā)光光譜中可以看到一個窄的ZnO激子峰(約380 nm)和一個中心位于700 nm 的來自Si襯底表面自然氧化硅發(fā)光中心的發(fā)光峰.

作 者： 霍海濱 楊衛(wèi)全 戴倫 馬仁敏 秦國剛 HUO Haibin YANG Weiquan DAI Lun MA Renmin QIN Guogang   作者單位： 霍海濱,楊衛(wèi)全,馬仁敏,HUO Haibin,YANG Weiquan,MA Renmin(北京大學(xué)物理學(xué)院,北京,100871)

戴倫,秦國剛,DAI Lun,QIN Guogang(北京大學(xué)物理學(xué)院,北京,100871;介觀物理國家重點實驗室,北京,100871) 

刊 名： 北京大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS PEKINENSIS  年，卷(期)： 2008 44(3)  分類號： O475  關(guān)鍵詞： 電致發(fā)光   氧化鋅納米線   硅   異質(zhì)結(jié)  

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