一維多層摻雜光子晶體缺陷模的偏振特性

為了研究多層摻雜對(duì)一維光子晶體缺陷模偏振特性的影響,采用特征矩陣法計(jì)算了一維光子晶體雙層摻雜和三層摻雜情況下缺陷模的偏振特征.結(jié)果表明:雙層摻雜時(shí),TE波和TM波都出現(xiàn)了兩個(gè)缺陷模,兩個(gè)缺陷模隨入射角的增加向短波方向移動(dòng),TE波的兩個(gè)缺陷模隨入射角的增加而減弱,而TM波的兩個(gè)缺陷模隨入射角的增加而增強(qiáng).三層摻雜時(shí),TE波和TM波也都出現(xiàn)了兩個(gè)缺陷模,但比兩層摻雜的缺陷模要弱,TE波和TM波的兩個(gè)缺陷模隨入射角的變化特征與雙層摻雜的情況相似.

作 者： 劉啟能 Liu Qi-neng   作者單位： 重慶工商大學(xué),廢油資源化技術(shù)與裝備工程研究中心,計(jì)算機(jī)科學(xué)與信息工程學(xué)院,重慶,400067  刊 名： 半導(dǎo)體光電  ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號(hào)： O436  關(guān)鍵詞： 光子晶體   特征矩陣   缺陷模   多摻雜  

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