垂直堆垛InAs量子點的光學性質(zhì)

垂直堆跺InAs量子點是用分子束外延(MBE),通過Stranski-Krastanov(S-K)方式生長.利用光致發(fā)光(PL)實驗對InAs量子點進行了表征.在生長過程中使用對形狀尺寸控制的方式來提高垂直堆垛InAs量子點形貌均勻性.樣品的外延結構是Si摻雜GaAs襯底生長500nm的過渡層,500nm的GaAs外延層,15nm的Al0.5Ga0.5As勢壘外延層,5個周期的InAs量子點生長后2單層GaAs的外延結構,50 nh的Al0.5Ga0.5As勢壘外延層,最后是15 m的GaAs覆蓋層.外延結構中Al0.5Ga0.5As勢壘外延層對鑲嵌在里面的InAs量子點有很強的量子限制作用產(chǎn)生量子效應.PL測量系統(tǒng)使用514.5 nn的缸離子激發(fā)源.發(fā)現(xiàn)了量子點基態(tài)光致發(fā)光峰等距離向紅外方向劈裂等新的物理現(xiàn)象.利用光致發(fā)光通過改變勢壘的寬度和摻雜情況,研究了外延結構的光致發(fā)光特性,得到二維電子氣(2DEG)隨勢能變化局域化加強等的新結果.

作 者： 李樹瑋 小池一步   作者單位： 李樹瑋(中山大學光電材料與技術國家重點實驗室,廣東,廣州,510275)

小池一步(大阪工業(yè)大學新材料研究中心,大阪旭區(qū)大宮,535-8585,日本) 

刊 名： 中國激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2004 31(z1)  分類號： O472+.3  關鍵詞： 半導體材料   光致發(fā)光   垂直堆垛的InAs量子點   分子束外延(MBE)  

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