對激光燒蝕沉積Ag薄膜生長率和環(huán)境氣壓關系的理論解析

為了對激光燒蝕沉積Ag薄膜生長率和環(huán)境氣壓關系進行定量解釋,考慮燒蝕產物在惰性氣體環(huán)境中的動力學過程以及薄膜生長的沉積和二次濺射過程,并假定二次濺射幾率正比于入射粒子的動能,建立了激光燒蝕沉積納米薄膜生長的動力學模型.定量地解釋了T.Scharf等人在惰性氣體He,Ne,Ar,Xe環(huán)境下燒蝕沉積Ag膜的實驗結果,所出現偏差乃計及大顆粒所致.

作 者： 王英龍 周陽 傅廣生 彭英才 褚立志 張榮梅   作者單位： 河北大學物理科學與技術學院,河北,保定,07l002  刊 名： 中國激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2004 31(z1)  分類號： O484.1  關鍵詞： 薄膜物理學   Ag薄膜沉積   脈沖激光燒蝕  

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