亚洲免费人人妻人人,cao78在线视频,福建一级毛片,91精品视频免费观看,高清另类图片操逼,日本特黄特色大片免费看,超碰欧美人人澡曰曰澡夜夜泛

P3HT:PCBM薄膜成膜過(guò)程對(duì)聚合物太陽(yáng)能電池性能的影響

時(shí)間:2023-05-06 17:06:00 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
  • 相關(guān)推薦

P3HT:PCBM薄膜成膜過(guò)程對(duì)聚合物太陽(yáng)能電池性能的影響

摘要:P3HT:PCBM薄膜的快速和緩慢成膜過(guò)程能顯著的改變異質(zhì)結(jié)聚合物太陽(yáng)能電池性能.通過(guò)調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)時(shí)間以及薄膜退火前的間隔時(shí)間,研究了P3HT:PCBM混合薄膜緩慢生長(zhǎng)所需最佳時(shí)間.結(jié)果表明,在轉(zhuǎn)速800 r·min-1下旋涂薄膜,經(jīng)過(guò)50~80 s的旋涂,接著放置樣品薄膜30 min以上,然后再對(duì)薄膜進(jìn)行退火處理,電池效率可以達(dá)到3%以上,而快速成膜的電池效率只有1.8%左右.合理的P3HT和PCBM相分離促進(jìn)了相應(yīng)載流子的跳躍和傳輸,是提高電池效率的根本原因.研究結(jié)果為準(zhǔn)確掌控緩慢生長(zhǎng)的混合薄膜提供了時(shí)間窗口. 作者: 周建萍[1]陳曉紅[2]徐征[3] Author: ZHOU Jian-ping[1]  CHEN Xiao-hong[2]  XU Zheng[3] 作者單位: 上海電力學(xué)院電力與自動(dòng)化工程學(xué)院,上海,200090華東師范大學(xué)物理系和納光電集成與先進(jìn)裝備教育部工程研究中心,上海,200062北京交通大學(xué)發(fā)光與光信息技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100044 期 刊: 光譜學(xué)與光譜分析   ISTICEISCIPKU Journal: Spectroscopy and Spectral Analysis 年,卷(期): 2011, 31(10) 分類號(hào): O43 O439 關(guān)鍵詞: 聚合物太陽(yáng)能電池    P3HT: PCBM薄膜    快速成膜    緩慢成膜    機(jī)標(biāo)分類號(hào): TM9 V27 機(jī)標(biāo)關(guān)鍵詞: 混合薄膜    成膜過(guò)程    聚合物    太陽(yáng)能    電池性能    Influence    Solar Cells    Performance    電池效率    最佳時(shí)間    旋涂薄膜    退火處理    時(shí)間窗口    生長(zhǎng)    快速成膜    結(jié)果    間隔時(shí)間    根本原因    載流子    異質(zhì)結(jié) 基金項(xiàng)目: 上海市教育委員會(huì)重點(diǎn)學(xué)科建設(shè)項(xiàng)目,國(guó)家自然科學(xué)基金,上海市自然科學(xué)基金,上海市浦江人才基金

【P3HT:PCBM薄膜成膜過(guò)程對(duì)聚合物太陽(yáng)能電池性能的影響】相關(guān)文章:

沉積在硅油表面上Au薄膜的電學(xué)性能及成膜機(jī)理05-01

Ag摻雜對(duì)ZnO薄膜的光電性能影響04-26

氧分壓對(duì)ZnO薄膜結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能的影響04-30

人發(fā)角蛋白溶液成膜的結(jié)構(gòu)與性能04-28

紡絲條件對(duì)PVDF/PVC中空纖維膜性能的影響04-25

氣相CdCl2退火對(duì)CdTe多晶薄膜性能的影響04-26

熱處理對(duì)NiP/CoNiP薄膜織構(gòu)和磁性能的影響04-30

焙燒溫度對(duì)TiO2薄膜的光催化氧化性能的影響04-29

電沉積條件對(duì)ITO/TiO2/CdS薄膜光電性能的影響04-30

等離子體刻蝕對(duì)Nafion(R)膜性能的影響04-30