多孔硅/高氯酸鈉復(fù)合材料的合成與爆炸特性研究

本文采用電化學(xué)陽極氧化法制備多孔硅,考察不同氧化條件下多孔硅孔隙率及膜厚的變化情況,研究電化學(xué)陽極氧化工藝條件、高氯酸鈉溶液濃度以及貯存方法等因素對多孔硅復(fù)合材料爆炸反應(yīng)的影響.結(jié)果表明.多孔硅孔隙率隨電流密度增大而增大,當(dāng)電流達(dá)到50 mA·cm-2以上時(shí)略有降低,孔隙率隨氧化時(shí)間增大而先增大后減小,且氧化時(shí)間為30 min時(shí)最大,孔隙率隨氫氟酸濃度增大反而減小,多孔硅膜厚隨時(shí)間增大而增大.SEM分析表明,多孔硅表面產(chǎn)生裂縫,內(nèi)部形成硅柱.在電流密度小、氧化時(shí)間短的條件下形成的多孔硅復(fù)合材料不易爆炸,當(dāng)NaClO4甲醇溶液質(zhì)量濃度大于0.098 g·mL-1時(shí)發(fā)生強(qiáng)烈爆炸, 將多孔硅復(fù)合材料用乙醇浸泡是最為理想的貯存方法.

作 者： 黎學(xué)明 胡欣 陳建文 LI Xueming HU Xin CHEN Jianwen   作者單位： 重慶大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,重慶,400044  刊 名： 中國科技論文在線  英文刊名： SCIENCEPAPER ONLINE  年，卷(期)： 2008 3(3)  分類號： X830.1  關(guān)鍵詞： 電化學(xué)   復(fù)合材料   爆炸特性   多孔硅   NaClO4  

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