電子技術(shù)基礎(chǔ)中重點知識有哪些？如何理解這些內(nèi)容？以下是小編整理的電子技術(shù)基礎(chǔ)知講解，歡迎閱讀。
第一講 半導(dǎo)體器件
1、雜質(zhì)半導(dǎo)體與PN結(jié)
本征半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì)就形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體，控制摻入雜質(zhì)的多少就可以有效地改變其導(dǎo)電性能，從而實現(xiàn)導(dǎo)電性能的可控性。半導(dǎo)體中有兩種載流子：自由電子與空穴。載流子有兩種有序運動：因濃度差異而產(chǎn)生的運動稱為擴散運動，因電位差而產(chǎn)生的運動稱為漂移運動。將兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體制作在同一塊硅片（或鍺片）上，在它們的交界面處，上述兩種運動達(dá)到動態(tài)平衡，從而形成PN結(jié)。正確理解PN結(jié)單向?qū)щ娦�、反向擊穿特性、溫度特性和電容效�?yīng)，有利于了解半導(dǎo)體二極管、晶體管和場效應(yīng)管等電子器件的特性和參數(shù)。
2、半導(dǎo)體二極管
一個PN結(jié)經(jīng)封裝并引出電極后就構(gòu)成二極管。二極管加正向電壓時，產(chǎn)生擴散電流，電流與電壓成指數(shù)關(guān)系；加反向電壓時，產(chǎn)生漂移電流，其數(shù)值很小，體現(xiàn)出單向?qū)щ娦�。IF、IR、UR和fM是二極管的主要參數(shù)。
特殊二極管與普通二極管一樣，具有單向?qū)щ娦�。利用PN結(jié)擊穿時的特性可制成穩(wěn)壓二極管，利用發(fā)光材料可制成發(fā)光二極管，利用PN結(jié)的光敏性可制成光電二極管。
3、晶體管
晶體管具有電流放大作用。當(dāng)發(fā)射結(jié)正向偏置而集電結(jié)反向偏置時，從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的非平衡少子中僅有很少部分與基區(qū)的多子復(fù)合，形成基極電流，而大部分在集電結(jié)外電場作用下形成漂移電流IC，體現(xiàn)出IB（或IE、UBE）對IC的控制作用。此時，可將IC看成為電流IB控制的電流源。晶體管的輸入特性和輸出特性表明各極之間電流與電壓的關(guān)系，β、α、 ICBO(ICEO)、ICM、U(BR)CEO、PCM和fT是它的主要參數(shù)。晶體管有截止、放大、飽和三個工作區(qū)域，學(xué)習(xí)時應(yīng)特別注意使管子工作在不同工作區(qū)的外部條件。
4、場效應(yīng)管
場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵型兩種類型，每種類型均分為兩種不同的溝道：N溝道和P溝道，而MOS管又分為增強型和耗盡型兩種形式。
場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)時，利用柵一源之間外加電壓所產(chǎn)生的電場來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制多子漂移運動所產(chǎn)生的漏極電流ID。此時，可將ID看成電壓UGS控制的電流源，轉(zhuǎn)移特性曲線描述了這種控制關(guān)系。輸出特性曲線描述UGS、UDS和ID三者之間的關(guān)系。gm、UGS(th)或UGS(off)、IDSS、IDM、PDM和極間電容是它的主要參數(shù)。和晶體管相類似，場效應(yīng)管有夾斷區(qū)（即截止區(qū)）、恒流區(qū)（即線性區(qū)）和可變電阻區(qū)三個工作區(qū)域。
盡管各種半導(dǎo)體器件的工作原理不盡相同，但在外特性上卻有不少相同之處。例如，晶體管的輸入特性與二極管的伏安特性相似；二極管的反向特性（特別是光電二極管在第三象限的反向特性）與晶體管的輸出特性相似，而場效應(yīng)管與晶體管的輸出特性也相似。
第二講 放大電路簡介
1、放大的概念
在電子電路中，放大的對象是變化量，常用的測試信號是正弦波。放大的本質(zhì)是在輸入信號的作用下，通過有源元件（晶體管或場效應(yīng)管）對直流電源的能量進(jìn)行控制和轉(zhuǎn)換，使負(fù)載從電源中獲得的輸出信號能量，比信號源向放大電路提供的能量大得多，因此放大的特征是功率放大。放大的前提是不失真，換言之，如果電路輸出波形產(chǎn)生失真便談不上放大。
2、放大電路的組成原則
�、俜糯箅娐返暮诵脑怯性丛淳w管或場效應(yīng)管；
�、谡_的直流電源電壓數(shù)值、極性與其它電路參數(shù)應(yīng)保證晶體管工作在放大區(qū)、場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，即建立起合適的靜態(tài)工作點，保證電路不失真；
�、圯斎胄盘枒�(yīng)能夠有效地作用于有源元件的輸入回路，即晶體管的b-e回路，場效應(yīng)管的g-s回路；輸出信號能夠作用于負(fù)載之上。
3、放大電路的主要性能指標(biāo)、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro、最大不失輸出電壓 放大倍數(shù)AUom、下限、上限截止頻率fL和fH、通頻帶fW、最大輸出功率Pom、效率。
4、放大電路的分析方法
1）靜態(tài)分析就是求解靜態(tài)工作點Q，在輸入信號為零時，晶體管和場效應(yīng)管各電極間的電流與電壓就是Q點�？捎霉浪惴ɑ驁D解法求解。
2）動態(tài)分析就是求解各動態(tài)參數(shù)和分析輸出波形。通常，利 A用h參數(shù)等效電路計算小信號作用時的u、Ri和Ro。利用圖解法
分析Uom和失真情況。放大電路的分析應(yīng)遵循“先靜態(tài)、后動態(tài)”的原則，Q點不但影響電路輸出是否失真，而且與動態(tài)參數(shù)密切相關(guān)。
5、晶體管和場效應(yīng)管基本放大電路
1）晶體管基本放大電路有共射、共集、共基三種接法。共射放大電路即有電流放大作用又有電壓放大作用，輸入電阻居三種電路之中，輸出電阻較大，適用于一般放大。共集放大電路只放大電流不放大電壓，因輸入電阻高而常做為多級放大電路的輸入級，因輸出電阻低而常做為多級放大電路的輸出級，因電壓放大倍數(shù)接近1而用于信號的跟隨。共基電路只放大電壓不放大電流，輸入電阻小，高頻特性好，適用于寬頻帶放大電路。
2）場效應(yīng)管放大電路的共源接法、共漏接法與晶體管放大電路的共射、共集接法相對應(yīng)，但比晶體管電路輸入電阻高、噪聲系數(shù)低、電壓放大倍數(shù)小，適用于做電壓放大電路的輸入級。
6、多級放大電路的耦合方式
直接耦合放大電路存在溫度漂移問題，但因其低頻特性好，能夠放大變化緩慢的信號，便于集成化，而得到越來越廣泛的應(yīng)用。
阻容耦合放大電路利用耦合電容隔離直流，較好地解決了溫漂問題，但其低頻特性差，不便于集成化，因此僅在分立元件電路情況下采用。
7、多級放大電路的動態(tài)參數(shù)
多級放大電路的電壓放大倍數(shù)等于組成它的各級電路電壓放大倍數(shù)之積。其輸入電阻是第一級的輸入電阻，輸出電阻是末級的輸出電阻。在求解某一級的電壓放大倍數(shù)時，應(yīng)將后級輸入電阻做為負(fù)載。
多級放大電路輸出波形失真時，應(yīng)首先判斷從哪一級開始產(chǎn)生失真，然后再判斷失真的性質(zhì)。在前級所有電路均無失真的情況下，末級的最大不失真輸出電壓就是整個電路的最大不失真輸出電壓。
第三講 放大電路的反饋
1.反饋的概念與類型
在電子電路中，將輸出量（輸出電壓或輸出電流）的一部分或全部通過一定的電路形式作用到輸入回路，用來影響其輸入量（放大電路的輸入電壓或輸入電流）的措施稱為反饋。若反饋的結(jié)果使輸出量的變化（或凈輸入量）減小，則稱之為負(fù)反饋；反之，則稱之為正反饋。若反饋存在于直流通路，則稱為直流反饋；若反饋存在于交流通路，則稱為交流反饋。本章重點研究交流負(fù)反饋。
交流負(fù)反饋有四種組態(tài)：電壓串聯(lián)負(fù)反饋，電壓并聯(lián)負(fù)反饋，電流串聯(lián)負(fù)反饋，電流并聯(lián)負(fù)反饋。若反饋量取－自輸出電壓，則稱之為電壓反饋；若反饋量取自輸出電流,則稱之為電流反饋。
2.反饋類型的判斷
在分析反饋放大電路時，“有無反饋”決定于輸出回路和輸入回路是否存在反饋通路；“直流反饋或交流反饋”決定于反饋通路存在于直流通路還是交流通路”；“正負(fù)反饋”的判斷可采用瞬時極性法，反饋的結(jié)果使凈輸入量減小的為負(fù)反饋，使凈輸入量增大的為正反饋。為判斷交流負(fù)反饋放大電路中引入的是電壓反饋還是電流反饋，可令輸出電壓等于零，若反饋量隨之為零，則為電壓反饋，若反饋量依然存在，則為電流反饋。
AAfF，若1A3.負(fù)反饋放大電路放大倍數(shù)的一般表達(dá)式為1/FXF1AX1Afif。引，即在深度負(fù)反饋條件下，即
1/FIR'LAUfoO入電流負(fù)反饋時，。利用可以求出四種反饋AAuf組態(tài)放大電路的電壓放大倍數(shù)和uSf。
4.引入交流負(fù)反饋后可以改善放大電路多方面的性能，可以提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性、改變輸入電阻和輸出電阻、展寬頻帶、減小非線性失真等。在實用電路中，應(yīng)根據(jù)需求引入合適的反饋。
第四講 集成電路概述、電流源電路和有源負(fù)載放大
電路
1.集成電路中的元器件特點
集成電路中的元器件是在相同的工藝條件下做出的，鄰近的器
件具有良好的對稱性，而且受環(huán)境溫度和干擾的影響后的變化也相同，因而特別有利于實現(xiàn)需要對稱結(jié)構(gòu)的電路。
集成工藝制造的電阻、電容數(shù)值范圍有一定的限制。
集成工藝制造晶體管、場效應(yīng)管最容易，眾多數(shù)量的晶體管通過一次綜合工藝完成。集成晶體管有縱向NPN型管、橫向PNP型管和場效應(yīng)管，前者在集成元器件中占用硅片面積最小、性能好、β值高，用的也最多；而橫向PNP管是利用制造縱向NPN管的工藝或稍加改造制成，其中PNP管β值低，但反耐壓高，常和NPN型管配合使用。
2.集成電路結(jié)構(gòu)形式上的特點
（1）利用元器件參數(shù)的對稱性來提高電路穩(wěn)定性
�。�2）利用有源器件代替無源元件
�。�3）采用直接耦合方式
（4）采用較復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)
�。�5）適當(dāng)利用外接分立元件
[電子技術(shù)基礎(chǔ)知講解]