1.存儲器的分類：

　　內(nèi)存是存儲器的一種，

內(nèi)存小知識

。存儲器是計(jì)算機(jī)的重要組成部分，按其用途可分為主存儲器（MainMemory，簡稱主存）和輔助存儲器（Auxiliary Memory，簡稱輔存），主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，能長期保存信息，并且不依賴于電來保存信息。

    2．內(nèi)存的分類：

　　內(nèi)存的物理實(shí)質(zhì)是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路。內(nèi)存按存儲信息的功能可分為只讀存儲器ROM（Read Only Memory）、可改寫的只讀存儲器EPROM（Erasable Programmable ROM）和隨機(jī)存儲器RAM（Random Access Memory）。ROM中的信息只能被讀出，而不能 作者修改或刪除，故一般用于存放固定的程序，如監(jiān)控程序、匯編程序等，以及存放各種表格。EPROM和一般的ROM不同點(diǎn)在于它可以用特殊的裝置擦除和重寫它的內(nèi)容，一般用于軟件的開發(fā)過程。RAM就是我們平常所說的內(nèi)存，主要用來存放各種現(xiàn)場的輸入、輸出數(shù)據(jù)，中間計(jì)算結(jié)果，以及與外部存儲器交換信息和作堆棧用。它的存儲單元根據(jù)具體需要可以讀出，也可以寫入或改寫。由于RAM由電子器件組成，所以只能用于暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的數(shù)據(jù)就會丟失。現(xiàn)在的RAM多為MOS型半導(dǎo)體電路，它分為靜態(tài)和動態(tài)兩種。靜態(tài)RAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的；動態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會泄漏，需要定時(shí)給與補(bǔ)充，所以動態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路。但動態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲器。所以主內(nèi)存通常采用動態(tài)RAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用靜態(tài)RAM。另外，內(nèi)存還應(yīng)用于顯卡、聲卡及CMOS等設(shè)備中，用于充當(dāng)設(shè)備緩存或保存固定的程序及數(shù)據(jù)。

    3．有關(guān)內(nèi)存的常見技術(shù)指標(biāo)：

　　接下來我們來談?wù)動嘘P(guān)內(nèi)存的人們普遍關(guān)心的各種技術(shù)指標(biāo)，一般包括引腳數(shù)、容量、速度、奇偶校驗(yàn)等。引腳數(shù)可以歸為內(nèi)存模組的接口類型，這里不再贅述。容量這一指標(biāo)是我們比較關(guān)心的，因?yàn)樗鼘⒅苯又萍s系統(tǒng)的整體性能。另外，內(nèi)存條是否以完整的存儲體（Bank）為單位安裝將決定內(nèi)存能否正常工作，這與計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)總線位數(shù)是相關(guān)的，不同機(jī)型的計(jì)算機(jī)，其數(shù)據(jù)總線的位數(shù)是不同的。內(nèi)存條通常有16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等容量級別，其中64MB、128MB內(nèi)存已成為當(dāng)前的主流配置，而用于諸如圖形工作站的內(nèi)存容量已高達(dá)512MB或1G，甚至更高。內(nèi)存條芯片的存取時(shí)間是內(nèi)存的另一個重要指標(biāo)，其單位以納秒（ns）度量，換算關(guān)系為 1ns = 10-3us = 10-6ms = 10-9s ，

電腦資料

《內(nèi)存小知識》(http://www.msguai.com)。常見的有5、6、7、8、10ns等幾種，這個數(shù)值越小，存取速度越快，但價(jià)格也便隨之上升。在選配內(nèi)存時(shí)，應(yīng)盡量挑選與CPU 時(shí)鐘周期相匹配的內(nèi)存條，這將有利于最大限度的發(fā)揮內(nèi)存條的效率。內(nèi)存慢而主板快，會影響CPU的速度，還有可能導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰；內(nèi)存快而主板慢，結(jié)果只能是大材小用。所以，對于DIY一族決不應(yīng)忽視對內(nèi)存條的選購。內(nèi)存條有無奇偶校驗(yàn)位是人們常常忽視的問題，奇偶校驗(yàn)對于保證數(shù)據(jù)的正確讀寫起到很關(guān)鍵的作用，尤其是在進(jìn)行數(shù)據(jù)量非常大的計(jì)算中。標(biāo)準(zhǔn)型的內(nèi)存條有的有校驗(yàn)位，有的沒有；非標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存條均有奇偶校驗(yàn)位。另外，對于常見機(jī)型中，有無奇偶校驗(yàn)位一般均可正常工作，但需要注意的是，在CMOS的SETUP中的設(shè)置必須與實(shí)際的內(nèi)存條情況相一致，同時(shí)，這也導(dǎo)致一臺計(jì)算機(jī)中內(nèi)存條的配置要么都帶奇偶校驗(yàn)位，要么都不帶，決不可混用。

    4．目前和未來的的內(nèi)存

　　目前在市場上還是SDRAM占統(tǒng)治地位，是目前的主流內(nèi)存。但是隨著內(nèi)存技術(shù)蓬勃發(fā)展，幾個大廠商都在加緊自己新型內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展，其中尤以RDRAM和DDR的較量最為激烈，可以預(yù)料未來將是RDRAM和DDR的天下。

　　下面將分別介紹這幾種內(nèi)存。
　　SDRAM：SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”，這就是目前主推的PC100和PC133規(guī)范所廣泛使用的內(nèi)存類型，它的帶寬為64bit，3.3 V電壓，目前產(chǎn)品的最高速度可達(dá)5ns。它是與CPU使用相同的時(shí)鐘頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時(shí)間。
　　DDR SDRAM：又簡稱DDR，是“雙倍速率SDRAM”的意思，由于它可以在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/S。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)。它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM的生產(chǎn)體系，制造成本比SDRAM略高一些（約為10%左右）。

　　RDRAM：Direct Rambus DRAM（DRDRAM）“接口動態(tài)隨機(jī)存儲器”，這是Intel所推崇的未來內(nèi)存的發(fā)展方向，它將RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時(shí)鐘頻率來簡化每個時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率（不低于300MHz），但其數(shù)據(jù)通道接口帶寬較低，只有16bit，當(dāng)工作時(shí)鐘為300MHz時(shí)，Rambus利用時(shí)鐘的上沿和下沿分別傳輸數(shù)據(jù)，因此它的數(shù)據(jù)傳輸率能達(dá)到300×16×2÷8=1.2GB/S，若是兩個通道，就是2.4GB/S。它與傳統(tǒng)DRAM的區(qū)別在于引腳定義會隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線也可以被定義成控制線。其引腳數(shù)僅為普通DRAM的三分之一。當(dāng)需要擴(kuò)展芯片容量時(shí)，只需要改變命令，不需要增加芯片引腳。DRDRAM要求RIMM中必須都插滿，空余的插槽中必須插上傳接板（也叫終結(jié)器）。