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實(shí)驗(yàn)四霍爾效應(yīng)

時(shí)間:2023-05-01 03:34:24 資料 我要投稿
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實(shí)驗(yàn)四霍爾效應(yīng)

實(shí)驗(yàn)四 霍爾效應(yīng)

一.實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1. 認(rèn)識(shí)霍爾效應(yīng),理解產(chǎn)生霍爾效應(yīng)的機(jī)理。

2. 測(cè)繪霍爾元件的VH?IS、VH?IM曲線,了解霍爾電勢(shì)差VH與霍爾元件工作電流IS、磁

感應(yīng)強(qiáng)度B及勵(lì)磁電流IM之間的關(guān)系。

3. 學(xué)習(xí)用“對(duì)稱(chēng)交換測(cè)量法”消除負(fù)效應(yīng)產(chǎn)生的系統(tǒng)。

二.實(shí)驗(yàn)原理

1.霍爾效應(yīng)法測(cè)量磁場(chǎng)原理

一塊長(zhǎng)方形金屬薄片或者半導(dǎo)體薄片,若在某方向上通入電流IS,在其垂直方向上加一磁場(chǎng)B,則在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電位差VH,這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為霍爾效應(yīng)。VH稱(chēng)為霍爾電壓。它們之間有如下關(guān)系:VH?RH

ISBd

上式中,RH稱(chēng)為霍爾系數(shù),d是薄片的厚度。 霍爾電壓的產(chǎn)生可以用洛侖茲力來(lái)解釋。如圖4-1所示,半導(dǎo)體塊的厚度為d、寬度為b,各種物理量的方向如圖上所示,則自由電子以平均速度v沿x軸負(fù)方向作定向運(yùn)動(dòng),所受洛侖茲力為 FB?ev?B

在此力的作用下自由電子向板的側(cè)端面聚集,同時(shí)在另一個(gè)側(cè)端面上出現(xiàn)同樣的正電荷。這樣就形成了一個(gè)沿y方向的橫向電場(chǎng),使自由電子同時(shí)也受到電場(chǎng)力FE的作用,即:

FE?eE?eVH/b

最后在平衡狀態(tài)下,有:FB=FE,即 evB=eVH/b,化簡(jiǎn)得到:VH=vBb (1) 設(shè)塊體內(nèi)的載流子濃度n,則電流IS與載流子平均速v的關(guān)系為:v?

ISdbne

(2)

將上式代入(1)得:VH?

ISBned

或者VH?K

H

ISB (3)

其中,KH為霍爾元件的靈敏度。單位是V/(A·T)。 2、 霍爾電壓的VH測(cè)量方法(實(shí)驗(yàn)中的副效應(yīng))

在產(chǎn)生霍爾效應(yīng)的同時(shí),也伴隨著各種副效應(yīng),所以實(shí)驗(yàn)測(cè)量的VH不是真實(shí)的霍爾電壓值。因?yàn)闇y(cè)量霍爾電壓的電極A和A?的位置難以做到在一個(gè)理想的等勢(shì)面上,如圖4-2所示:

圖4-2 副效應(yīng)

因此,當(dāng)有電流流過(guò)樣品時(shí),即使不加磁場(chǎng)也會(huì)產(chǎn)生附加電壓VO?ISR,其中R為A和A?的兩個(gè)等勢(shì)面之間的電阻,VO的符號(hào)只與電流的方向有關(guān),與磁場(chǎng)的方向無(wú)關(guān)?梢酝ㄟ^(guò)改變IS和B的方向消除VO。除副效應(yīng)VO外,還有熱效應(yīng)、熱磁效應(yīng)等,不過(guò)這些效應(yīng)除個(gè)別外,均可以通過(guò)改變IS和B的方向消除。

對(duì)霍爾電壓VH的處理。在規(guī)定了電流和磁場(chǎng)的正反方向后,分別測(cè)量由以下四組不同反方向的IS和B的組合的VH,即:

則: VH?

V1?V2?V3?V4

4

(4)

這種測(cè)量VH的方法稱(chēng)為“對(duì)稱(chēng)測(cè)量法”,求得的VH,雖然還存在個(gè)別無(wú)法消除的副效應(yīng),

但其引入的誤差很小,可以忽略不計(jì)(詳見(jiàn)附錄分析)。

二.實(shí)驗(yàn)儀器使用說(shuō)明

1. 儀器的組成

圖4-3 儀器主機(jī)示意

本儀器由勵(lì)磁恒流元IM、樣品工作恒流元IS、數(shù)字電流表、數(shù)字電壓表、霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置等組成。儀器主機(jī)面板分布如圖一所示。

主機(jī)面板分布說(shuō)明: (1) IM恒流源

在面板的右側(cè),紅黑接線柱分別表示該電源的輸入和輸出。右側(cè)的數(shù)字表顯示IM的電流值。單位:安培 (2) IS恒流源

在面板的中側(cè),紅黑接線柱分別表示該電源的輸入和輸出。中間的數(shù)字表顯示IS的電流值。單位:毫安 (3) VH輸入

在面板的左側(cè),紅黑接線柱分別為該VH測(cè)量輸入端的正負(fù)極性。左側(cè)的數(shù)字表顯示VH的電壓值。單位:毫伏

(4) “200mV”和“20mV”轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān),此開(kāi)關(guān)為量程轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)。 2. 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

(1)主機(jī)上的“VH輸入”、“”和“”分別對(duì)應(yīng)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上的“霍爾電壓”、“工作電壓”和“勵(lì)磁電流”。

注意:千萬(wàn)不要將IM和IS接錯(cuò),否則IM電流將可能燒壞霍爾樣品。

(2)儀器開(kāi)機(jī)之前,先將“IS調(diào)節(jié)”和“IM調(diào)節(jié)”旋鈕逆時(shí)針旋到底,使IS輸出和IM輸出均為最小。

霍爾元件

(3)儀器接通電源后,預(yù)熱五分鐘。將電壓測(cè)量量程轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)撥置“20mA”檔,然后將 電壓測(cè)量輸入短路,調(diào)整調(diào)零電位器使電壓指示為零。

(4)“IS調(diào)節(jié)”“ IM調(diào)節(jié)”兩旋鈕分別用來(lái)控制樣品的工作電流和勵(lì)磁電流的大小,其電流值隨旋鈕順時(shí)針?lè)较虻霓D(zhuǎn)動(dòng)而增加,調(diào)節(jié)精度分別為“10μA”和“1mA”。

(5)儀器關(guān)機(jī)之前,先將“IS調(diào)節(jié)”和“IM調(diào)節(jié)”旋鈕逆時(shí)針旋到底,然后切斷電源。

圖4-4 測(cè)試平臺(tái)

三.實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1. 霍爾效應(yīng)的輸出特性測(cè)量

(1) 按圖示連接好儀器。

(2) 調(diào)節(jié)霍爾效應(yīng)元件探桿支架的X、Y方向的旋鈕,慢慢的將霍爾效應(yīng)元件移到勵(lì)

磁線圈的中心位置。

(3) 測(cè)繪VH-IS曲線

取IM=0.800A,并在測(cè)量過(guò)程中保持不變。依次按照表4-1所列數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)IS,測(cè)出相應(yīng)的V1、V2、V3、V4值,記入表4-1并繪制VH-IS曲線。根據(jù)(3)式它們應(yīng)該成正比。

表4-1 IM=0.800A

(4) 測(cè)繪VH-IM曲線

取IS=8.00mA,并在測(cè)試過(guò)程中保持不變。依次按照表4-2所列數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)IM,測(cè)出相應(yīng)的V1、V2、V3、V4值,記入表4-2并繪制VH-IM曲線。根據(jù)(3)式它們應(yīng)該成正比。 表4-2 IS=8.00mA

2. 測(cè)繪勵(lì)磁線圈軸線上磁感應(yīng)強(qiáng)度的分布

取IM=0.800A,IS=8.00mA,并在測(cè)試過(guò)程中保持不變。以相距勵(lì)磁線圈兩端口等遠(yuǎn)的中心位置為坐標(biāo)原點(diǎn)建立坐標(biāo)(如下圖所示),調(diào)節(jié)“Y方向調(diào)節(jié)螺絲”旋鈕,改變霍爾元件的位置y,對(duì)稱(chēng)的選取10個(gè)點(diǎn),按對(duì)稱(chēng)法測(cè)出各相應(yīng)位置的V1、V2、V3、V4,并計(jì)算VH及B的值。

繪制B-y曲線。

圖4-5 勵(lì)磁線圈上建立坐標(biāo)

表4-3:勵(lì)磁線圈y方向的磁感應(yīng)強(qiáng)度

四.思考題

1.對(duì)稱(chēng)測(cè)量法能否完全消除副效應(yīng)影響?你能想出更好的實(shí)驗(yàn)方法嗎? 2.霍爾元件通以交變電流時(shí)如何測(cè)量所產(chǎn)生的霍爾電壓? 3.如何根據(jù)霍爾電壓的正負(fù)來(lái)判別半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型?

附:霍爾效應(yīng)的副效應(yīng)及其消除(參照?qǐng)D4-2)

(1)電極位置不對(duì)稱(chēng)產(chǎn)生的電壓降U0:在制備霍爾樣品時(shí),y方向的測(cè)量電極很難做到處于理想的等位面上,即使在未加磁場(chǎng)時(shí),在AA?兩電極間也存在一個(gè)由于不等位電勢(shì)引起的歐姆壓降U0,U0方向只與IS方向有關(guān)。

(2)愛(ài)廷豪森(Ettinghausen)效應(yīng):處于磁場(chǎng)中的霍爾元件通以電流時(shí),由于載流子遷移速度的不同,它們?cè)诖艌?chǎng)中受到的洛侖茲力也不相同,速度大的受到的洛侖茲力大,繞大圓軌道運(yùn)動(dòng);速度小的則繞小圓軌道運(yùn)動(dòng)。這樣導(dǎo)致霍爾元件的一端較另一端具有較高的能量而形成溫度梯度,從而形成溫差電壓UE。這就是愛(ài)廷豪森效應(yīng)。UE的大小與I、B的乘積

成正比,隨I、B的換向而改變正負(fù)極性。

(3)能斯托(Nernst)效應(yīng):霍爾元件電流引線端焊接點(diǎn)的接觸電阻往往是不同的。當(dāng)有電流通過(guò)時(shí),兩焊點(diǎn)之間產(chǎn)生溫差,形成熱擴(kuò)散電流,于是在磁場(chǎng)的作用下,產(chǎn)生附加電壓UN ,UN的正負(fù)取決于磁場(chǎng)B的方向。

(4)里紀(jì)-勒杜克(Righi-Ledue)效應(yīng):上述熱擴(kuò)散電流載流子的遷移速率是不相同的,在磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生類(lèi)同于愛(ài)廷豪森效應(yīng)的附加溫差電動(dòng)勢(shì)URL ,這一效應(yīng)稱(chēng)里紀(jì)-勒杜克效應(yīng),URL的方向只與B的方向有關(guān)。

上述4種副效應(yīng)產(chǎn)生的附加電壓疊加在霍爾電壓上,形成測(cè)量中的系統(tǒng)誤差來(lái)源,測(cè)量時(shí)應(yīng)設(shè)法減小或消除。由于副效應(yīng)引起的附加電壓的正負(fù)與電流和磁場(chǎng)的方向有關(guān),因此測(cè)量時(shí)通過(guò)改變電流和磁場(chǎng)的方向基本上可以消除這些附加誤差的影響。具體可按下面4種組合方式測(cè)量霍爾元件上下兩端的電壓:

?B,?I?B,?I?B,?I?B,?I

U1?UH?UE?UN?URL?U0U2??UH?UE?UN?URL?U0U3?UH?UE?UN?URL?U0U4??UH?UE?UN?URL?U0

由上述4組測(cè)量結(jié)果可得:UH?(U1?U2?U3?U4)/4?UE

UE比UH小得多,可略去不計(jì),于是霍爾電壓為:UH?(U1?U2?U3?U4)/4

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